LS AFP - Ruhr-Universität Bochum

Lehre

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Im Rahmen des Praktikums stellen die Studierenden selbstständig einen einfachen Feldeffekttransistor her. Dabei werden Basistechniken der Halbleiterprozessierung, wie Photolithographie und nasschemisches Ätzen, erlernt.
Des Weiteren sollen die Studierenden mittels fokussierter Ionenimplantation die elektrischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen modifizieren. Die elektrische Charakterisierung der hergestellten Bauelemente bildet einen weiteren Schwerpunkt des Praktikums. Hierbei wird moderne, elektrische Messtechnik zur Bauelementcharakterisierung eingesetzt. Jeder Praktikumstag wird mit einer Vorlesung von ca. 45 Minuten eingeleitet, in der die Grundlagen für die Arbeiten des Tages erläutert werden.
Nach Abschluss des praktischen Teils werten die Studierenden ihre Daten zu Hause aus und stellen etwa zwei Wochen später ihre Ergebnisse in einem Vortrag von 45 Minuten vor. Sowohl für die praktischen Arbeiten, wie auch für den Vortrag, arbeiten die Studierenden in Zweiergruppen zusammen.

	Wann?	Einwöchige Blockveranstaltung jeweils kurz vor dem Vorlesungsstart des Semesters. Täglich etwa von 8:30 bis 16:30 Uhr.
	Wo?	Das Praktikum findet in den Räumlichkeiten des Lehrstuhls für Angewandte Festkörperphysik statt. Treffpunkt ist der Seminarraum NABF 03/251.
	Teilnehmerzahl	Maximal 5 Studierende
	Anmeldung	Verbindlich Anmeldung im Sekretariat des Lehrstuhls (NB 03/58)
	Credit Points	4 CP (können im Rahmen des F-Praktikums anerkannt werden)